Первую в мире установку для внеземного синтеза полупроводников изготовили новосибирские ученые

Многослойные полупроводниковые структуры выращиваются методом молекулярно-лучевой эпитаксии: атомы разных элементов укладываются на специальную подложку послойно. В результате появляются полупроводниковые многослойные наноструктуры с нужными свойствами.

Чтобы в растущую структуру не попали чужеродные атомы и не испортили ее характеристики, процесс должен происходить в сверхвысоковакуумных установках. Однако такие приборы весьма дороги, при этом в земных условиях в них труднодостижимы высокие параметры вакуума, которые с легкостью можно получить в космосе.

Космические полупроводниковые материалы во время синтеза будут защищены от попадания чужеродных атомов, и, как следствие, практически бездефектны.

Вся установка спроектирована так, чтобы синтез полупроводникового материала происходил автоматически. Космонавту нужно будет провести лишь некоторые подготовительные этапы, присоединить кассету с подложками арсенида галлия, а после завершения процессов синтеза снять ее и отправить на Землю в спускаемом модуле.

Полученные в космосе материалы могут использоваться, в частности, для производства легких и радиационно-стойких солнечных батарей. КПД таких устройств будет выше, чем у аналогичных панелей полностью земного происхождения благодаря высокому качеству полупроводникового материала.